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器件類型 InGaAs APD；工作波長 950-1650nm；陣列規(guī)模 4×4；像元大小 100μm×100μm；光敏面大小 85μm×85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
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| 貨號 : E80040036 | |
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MP6514S型探測器組件由4×4陣列規(guī)格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下，探測器組件各像元獨立、自由運行，探測0.95-1.65 μm的近紅外波段范圍內微弱光信號，實時輸出TTL電信號。
探測器面陣規(guī)格
性能描述 | |
器件類型 | InGaAs APD |
陣列規(guī)模 | 4×4 |
像元大小 | 100μm×100μm |
光敏面大小[1] | 85μm×85μm |
光窗 | 石英光窗 |
感光靶面至光窗外表面間距 | 4mm (光窗厚度為1mm ) |
注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。 |
主要性能指標(Tc=22+3℃)
特性參數(shù) | 參數(shù)指標 |
工作波長[1] | 0.95-1.65μm |
探測效率 | ≥10% ( 1.57+0.05μm) |
暗計數(shù)率 | ≤10KHz |
時間抖動 | ≤500ps |
死時間 | 100 ~ 1000ns可調 |
有效像元率 | 100% |
注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。 | |
jue對Max. 額定值
參數(shù) | 額定值 | 單位 |
工作溫度范圍Tc | -40～+55 | °C |
貯存溫度范圍TSTG | -40～+70 | °C |
Max. 功耗P | 15 | W |
輸入偏置范圍VR | 4.9～5.5 | V |
靜電放電敏感度ESD | 1000～2000 | V |
質量可靠性保證
● 產品執(zhí)行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規(guī)范》相關要求。
●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金屬封裝，器件質輕靈巧
●像元獨立、自由運行
●像元可探測弱光子信號
●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調
●透霧、霾、煙塵等測距
●近紅外激光告警
●遠距離激光測距
●遠距離空間激光通信
封裝外形結構與尺寸(單位: mm )
電學接口
●電源輸入: +5V
●數(shù)據(jù)輸出類型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●電源輸入接口類型: J30J
●數(shù)據(jù)輸出接口類型: J63A-31
●外觸發(fā)接口: SSMA
接口編號 | 功能 |
1 | SSMA-1:內同步信號輸出 |
2 | SSMA-2:外同步信號輸入 |
3 | J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口 |
4 | J30J: +5V單電源供電 |
營業(yè)執(zhí)照