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波長

λ_R

1530-1570nm

閾值電流

I_TH

2

mA

輸出功率

P_opt

0.3

0.5

0.7

mW

閾值電壓

U_TH

1.8

V

工作電流

I_OP

15

mA

Popt =   0.5mW

工作電壓

U_OP

3

V

Popt =   0.5 mW

電光轉換效率

η_WP

12

%

Popt =   0.5 mW

斜率效率

η_S

0.3

W/A

上升／下降時間

T_r /T_f

90/120

Psec

差分串聯(lián)電阻

R_S

100

200

Ω

Popt =   0.5 mW

3dB調制帶寬

ν@3dB

0.10

GHz

Popt =   0.5 mW

Due to   ESD protection diode

相對強度噪聲

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt =   0.3 mW @ 1 GHz

波長調諧電流系數(shù)

0.6

nm/mA

波長調諧溫度系數(shù)

0.06

nm/K

熱敏電阻(VCSEL 芯片)

R_thermal

3

5

K/mW

SMSR

35

dB

I  =   2 mA

光束發(fā)散角

θ

10

25

°

P_opt =   0.5mW, full   width 1/e²

線寬

100

MHz

Popt =   0.5 mW

Tec 電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

Proper Heart Sink   Required

NTC 熱敏電阻

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC 熱敏電阻

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

存儲溫度

 ℃

-40

25

125

芯片溫度

℃

+10

25

40

工作電流

mA

0

3.0

15.0

正向電壓

V

0.8

1.2

1.8

TEC 電流

mA

-150

-

+300

焊接溫度*

℃

100

130

260

功耗

mw

-

-

5

2

Thermistor

6

Thermistor

3

N/C

7

PD Monitor Cathode (+)

4

VCSEL Cathode (–)/PD Monitor Anode (-)

8

VCSEL Anode (+)